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삼성전자 기술로 중국 반도체 기업에서 18나노 D램 만들었다 구속

입력 : 2025-10-01 18:53
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[보안뉴스 한세희 기자] 중국 반도체 기업 이직 후 불법 유출된 국가 핵심 기술을 사용해 중국 최초 18나노 D램을 개발한 삼성전자 전직 직원들이 재판에 넘겨졌다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부는 삼성전자 전직 임원 양모씨와 전직 연구원 신모씨, 권모씨 등 3명을 산업기술보호법 위반 및 부정경쟁방지법 위반 혐의로 구속기소했다고 1일 밝혔다.

[자료: gettyimagesbank]

이들은 중국 창신메모리반도체테크놀로지(CXMT)로 이직한 뒤 불법 유출된 삼성전자 18나노 D램 공정 기술을 부정 사용해 관련 제품 개발을 완수했다.

유출된 기술은 삼성전자가 1조6000억원을 투자해 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 공정 기술이다.

앞서 검찰은 삼성전자 국가 핵심기술 유출 정황을 포착하고 직접 수사를 통해 먼저 CXMT에서 첨단 공정 D램 개발에 참여한 삼성전자 전직 부장 김모씨와 연구원 출신 전모씨 등 2명을 구속기소 했다.

이들은 또다른 삼성전자 퇴직자에게 D램 공정 국가 핵심기술을 부정 취특헀고, 이번에 재판에 넘겨진 3명은 이 자료를 넘겨받아 개발을 마무리했다.

이들 3명은 최근 4-6년 간 CXMT에서 삼성전자의 3-5배에 달하는 15억-30억원의 급여를 받았다. 이 사건으로 인한 삼성전자 매출 감소액은 지난해 기준 5조원으로 추정된다.

[한세희 기자(boan@boannews.com)]

<저작권자: 보안뉴스(www.boannews.com) 무단전재-재배포금지>

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