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삼성전자, ‘삼성 파운드리 포럼 2019’ 개최
  |  입력 : 2019-05-15 17:18
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3GAA 키트, 신개념 고성능 반도체 구현...새 트랜지스터 구조로 파운드리 혁신 선도
설계에 필요한 고성능 클라우드 환경 제공...팹리스 고객, 설계 기간·투자비용 절감


[보안뉴스 김성미 기자] 삼성전자가 ‘삼성 파운드리 포럼 2019(Samsung Foundry Forum 2019)’를 5월 14일 미국 산타클라라 메리어트 호텔에서 개최했다. 이 자리에서 삼성전자는 ‘차세대 3나노 GAA 공정’과 새로운 고객 지원 프로그램인 ‘SAFE™-클라우드’를 소개했다. 이번 포럼에는 글로벌 팹리스 고객과 파트너사 800여 명이 참가해 인공지능(AI), 5G, 자율 주행, 사물인터넷(IoT) 등 4차 산업혁명 시대를 주도할 반도체 기술을 공유했다.

[사진=삼성전자]


삼성전자는 지난해 GAA(Gate-All-Around)를 3나노 공정에 도입하겠다고 공개한데 이어 이번 포럼에서 3GAE(3나노 Gate-All-Around Early)의 공정 설계 키트(PDK v0.1 : Process Design Kit v0.1)를 팹리스 고객들에게 배포했다고 밝혔다. 3나노 GAA 공정에서 1세대를 얼리, 이후 성능과 전력이 개선된 2세대를 플러스라고 부른다. 공정 설계 키트는 파운드리 회사의 제조공정에 최적화된 설계를 지원하는 데이터 파일이다. 이를 활용하면 팹리스 업체가 제품 설계를 보다 쉽게 할 수 있어 시장 출시까지 소요 기간을 단축하고 경쟁력을 높일 수 있다.

삼성전자의 3GAE 공정은 최신 양산 공정인 7나노 핀펫 대비 칩 면적을 45% 가량 줄일 수 있다. 뿐만 아니라 약 50%의 소비전력 감소와 약 35%의 성능 향상 효과가 기대된다. 3나노 이하 초미세 회로에 도입될 GAA 구조의 트랜지스터는 모바일, 인공지능(AI), 5G, 전장, 사물인터넷(IoT) 등 고성능과 저전력을 요구하는 차세대 반도체에 적극적으로 활용될 전망이다.

GAA 구조는 전류가 흐르는 통로인 원통형 채널 전체를 게이트가 둘러싸고 있어 3면을 감싸는 지느러미 모양의 핀펫(FinFET) 구조에 비해 전류의 흐름을 더 세밀하게 제어할 수 있다. 삼성전자는 3나노 공정에서 독자적인 MBCFET™(Multi Bridge Channel FET) 기술을 통해 차별화된 이점을 팹리스 고객사들에게 제공할 계획이다.

MBCFET™은 기존의 가늘고 긴 와이어 형태의 GAA 구조를 한층 더 발전시켜 종이처럼 얇고 긴 모양의 나노시트를 적층하는 삼성전자의 독자 기술이다. 성능과 전력효율을 높이는 것은 물론 나노시트 너비를 특성에 맞게 조절할 수 있어 높은 설계 유연성을 갖고 있고, 핀펫 공정과도 호환성이 높아 기존 설비와 제조 기술을 활용할 수 있다는 장점을 가지고 있다.

클라우드로 팹리스 설계 지원하는 서비스 개시
삼성전자는 팹리스 고객에게 설계 편의를 제공하기 위해 SAFE™-클라우드 서비스를 시작한다. 삼성전자 SAFE™-클라우드 서비스는 아마존 웹 서비스(AWS), 마이크로소프트(MS), 자동화 설계툴(EDA) 회사인 케이던스, 시놉시스와 함께 진행하며 속도와 보안성이 검증된 클라우드 환경을 제공한다. AWS와 MS는 SAFE™에서 클라우드 환경을 제공하고 케이던스와 시놉시스는 클라우드와 EDA 등의 설계 툴을 함께 제공할 예정이다.

[사진=삼성전자]


팹리스 고객들은 SAFE™-클라우드 서비스를 통해 삼성전자와 파트너사들이 제공하는 PDK, 설계 방법론(DM : Design Methodologies), 자동화 설계 툴(EDA : Electronic Design Automation), 설계 자산(라이브러리, IP) 등을 이용해 투자비용을 줄이고 보다 빠르게 반도체를 제작할 수 있다.

국내 팹리스 업체 가온칩스의 정규동 대표는 “SAFE™-클라우드는 자동화 툴과 공정 정보 등이 미리 구비돼 있어 신제품 설계에만 집중할 수 있는 준비된 환경”이라며, “클라우드를 이용한 반도체 설계 환경은 중소규모 팹리스 업체에게 더 많은 사업 기회를 제공할 것”이라고 말했다. 정은승 삼성전자 파운드리사업부 사장은 “반도체 공정과 생산, 패키지 분야의 앞선 기술뿐만 아니라 파운드리 업체와 고객, 파트너가 서로 신뢰하고 비전을 공유하는 것도 매우 중요하다”며 “이번 포럼을 통해 삼성전자의 기술적 성과와 목표를 공유할 수 있어서 무척 기쁘다”라고 밝혔다.

삼성전자는 EUV 노광 기술 기반으로 최근 7나노 제품 양산과 6, 5나노 공정 개발을 완료하는 등 초미세 회로 기술을 빠르게 발전시키고 있으며, 4나노 핀펫 공정과 3나노 MBCFET™ 공정 개발에도 박차를 가하고 있다. 삼성전자는 올 하반기 6나노 적용 제품 양산을 시작으로 5나노 기반 제품 회로 설계 완성 그리고 4나노 핀펫 공정을 개발 완료한다는 계획이다.

이어 2020년 상반기에는 5나노 공정 기반 제품을 본격 양산하고, FD-SOI 공정과 eMRAM 그리고 최첨단 패키지 솔루션 확대 등도 계획하고 있다한편, 삼성전자는 전 세계 5개국에서 개최되는 ‘파운드리 포럼 2019’를 통해 파트너들과의 유기적인 협력을 확대하며 가장 신뢰받는 파운드리 회사로서의 비전을 실현해 나갈 계획이다.
[김성미 기자(sw@infothe.com)]

<저작권자: 보안뉴스(www.boannews.com) 무단전재-재배포금지>

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