하이닉스반도체(www.hynix.co.kr)는 차세대 메모리 반도체인 P램 분야의 원천기술을 보유한 미국 오보닉스사(Ovonyx, Inc.)와 ‘P램’ 기술에 대한 라이선스 계약을 체결했다.
이번 계약에 따라 하이닉스반도체와 오보닉스사는 P램 기술 개발을 비롯해 재료, 공정, 디자인 및 생산 등의 분야에 적극 협력하게 된다.
P램은 상변화 물질에 전류를 가하면 고체와 액체로 변하는 상변화에 따른 저항의 차이를 이용하는 비휘발성 메모리이다.
보통 D램의 기억 소자는 트랜지스터와 캐패시터로 구성되는데 비해 P램은 캐패시터 대신 트랜지스터와 레지스터로 구성돼 있어 소자 크기는 물론 생산 비용까지 줄일 수 있을 것으로 기대되는 기술이다.
D램과 같은 낮은 전압에서 동작이 가능하며, 플래시 메모리보다 10배 이상 빠른 처리 속도로 구현이 가능해 D램과 플래시 메모리의 장점을 갖춘 것이 특징이다. ‘퍼펙트(Perfect) 램’ 이라 불릴 만큼 우수한 성능을 갖춘 P램은 향후 D램과 플래시 메모리를 대체할 수 있는 차세대 메모리의 선두주자로 기대를 모으고 있다.
한편 하이닉스반도체가 지난 7월에 발표한 중장기 마스터 플랜에 의하면 오는 2017년까지 매출의 30% 이상을 P램을 포함한 신규 제품 군으로 채울 계획이다.
이에 따라 P램과 같은 차세대 메모리 개발에 역량을 집중하고 있으며 특히 이번 라이선스 계약 체결을 통해 목표에 한 발 더 다가설 것으로 기대하고 있다.
박성욱 하이닉스반도체 부사장은 “메모리 시장의 새로운 패러다임을 가져올 P램 사업에 본격 진출했다는 데에 의의가 크다”며 “P램의 성공적인 기술 개발 및 양산을 위해 지속적으로 노력 하겠다”고 말했다.
[배군득 기자(boan3@boannews.com)]
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