ETRI, 러시아 Ioffe 연구소와 MOU 체결

GaN 반도체 기반 통신 소자 및 전력 소자 기술 연구 협력기반 구축

[보안뉴스 김정완] 한국전자통신연구원(원장 김흥남, ETRI)는 8일(러시아 현지 시간), 러시아 상트페테르부르크(St Petersburg) Ioffe 연구소(Ioffe Physical-Technical Institute of Russian Academy of Sciences) 회의실에서 ‘GaN 반도체’로 대표되는 화합물 반도체 기반 ‘통신 소자 및 전력 소자 기술’과 차세대 조명 광원으로 떠오르는 ‘LED 및 광전소자 기술’의　상호 협력 연구를 위한 MOU를 체결했다고 10일 밝혔다.

GaN 전력반도체는 고전압 작동이 가능하여, 실리콘 전력반도체보다 전력손실을 1/5 이하로 줄일 수 있으며 고속 동작 특성이 뛰어나기 때문에 스위칭 손실을 1/100 이하로 줄일 수 있다.

GaN 트랜지스터는 고주파 동작이 가능하기 때문에 전원장치의 소형화가 실현 가능하며, 노트북이나 AC 어댑터에 적용하는 경우 1/10 정도로 소형화할 수 있을 것으로 기대된다.

ETRI는 현재 GaAs, InP 및 GaN를 기반으로 하는 화합물반도체 일괄 공정 라인을 구축하고 MMIC 칩 및 무선통신 부품 설계/제작 기술을 보유하고 있으며 GaN 기반 차세대 LED 연구를 수행중이다.

GaN 반도체 기반 LED 산업은 차세대 조명 산업을 중심으로 메모리 반도체를 능가하는 거대한 소재부품 시장을 형성할 것으로 기대되는 유망 산업이며, 실내외 대상의 일반 조명 산업을 기반으로 향후 100년 이상의 지속 잠재성을 보유한 장기적인 산업이 될 전망이다.

이날 ETRI와 Ioffe가 체결한 MOU의 세부 협력 분야는 △GaN전력소자 개발 △조명용 LED소자 개발 △자외선 LED소자 개발 △EU FP7/EUREKA 공동제안 협력 등이다.

이와 관련 박형무 ETRI 융합부품소재연구부문 소장은 “ETRI의 화합물 반도체 소자 및 응용 기술과 Ioffe 연구소의 화합물 반도체 소재 원천 기술의 상호 접목을 통해 차세대 전력 및 조명 소자로 활용 가능한 화합물 반도체 부품/소재 원천 기술 개발 및 상용화를 위한 교두보를 마련하게 되었다”고 말했다.

한편 1918년에 설립된 Ioffe 연구소는 LED 및 반도체레이저의 근간이 되는 이중이질접합반도체구조(semiconductor double heterostructure) 연구 개발로 2000년 노벨상을 수상한 Alferov 박사를 비롯하여 5명의 노벨상 수장자를 배출한 직원 2,300명, 연구원 1,200 명의 러시아 최고의 핵심 연구기관이다.

[김정완 기자(boan3@boannews.com)]

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